整流橋(橋堆)的計算

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整流橋(橋堆)的計算

整流橋的耐壓選擇

整流橋的耐電流選擇

5為輸入電流有效值的倍數(shù),經(jīng)驗值。

所選整流橋的正向管壓降。

所選整流橋的功率損耗計算

BUCK電容容值的計算

高壓啟動與RCD結(jié)位電路

紅線圈起的電阻為IC的高壓啟動電阻, 電阻阻值的選擇由IC特性決定。
藍線圏起的部分為RCD箝位電路(也稱為關(guān)斷緩沖電路)。此部分電路主要用于限制MOS關(guān)斷時高頻變壓器漏感的能量引起的尖峰電壓和次級線圏反射電壓的疊加,疊加的電壓產(chǎn)生在MOS管由飽和轉(zhuǎn)向關(guān)斷的過程中,漏感中的能量通過D向C充電,C上的電壓可能沖到反電動勢與漏感電壓的疊加値,即: Vrest+△Vpp。

電源適配器RCD電路電阻、二極管的計算

電阻R:

在變壓器下半周期由截至變?yōu)閷?dǎo)通時,C上的能量經(jīng)R來釋放,直到C上的電壓將到下次MOS管關(guān)斷之前的反電動勢Vrest,在放電的過程中,漏感電動勢△Vpp是不變的,通過放電常數(shù)R、C和變壓器關(guān)斷時間的關(guān)系,可以求得R的值，可以按周期T的63%計算:
RXC=0.63T*(Vrest+△Vpp)/△Vpp
注釋: T=1/f f:為變壓器的工作頻率。
R=0.63 (Vrest+△Vpp)/(△Vpp*f*C)
其功耗為: P=Le*lsc2*f/2
由于D和C上都有能量消耗,而且放電時間可能要短,所以該電阻的實際功耗可按計算值的一半考慮。
P(實際) =P(計算值)/2
關(guān)于D的取值
耐壓值要超過疊加值的10%。
電流要大于輸入電流平均值的10%
同行工程師經(jīng)驗總結(jié):
1.D要選慢速的,對EMI好,
2.電容選的越大,電壓尖峰越小,也就是RcD吸收的漏感能量越大:
3.R應(yīng)該取值較小才好, R越小,電容放電越快,下個周期時就能吸收更多的能量。
4.C選大, R選小,吸收能力較強, 且震蕩的周期變長,也就是頻率降低, EMI較好，但損耗也會較大, 故要折中選取。

相關(guān)知識

什么是漏感?

同一個磁體上兩個有互感的線圈N1、 N2, N1線圈上流過的電流l1產(chǎn)生的磁通￠1i分為兩部分, 一部分是匝鏈N1、 N2兩個線圈的互感磁通，另一部分只與N1、(激里線圈)線圈匝鏈, 意與N2線圈匝鏈的漏感,是一種實際存在的物理參數(shù),而不是一種叫做電感的物體。

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